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產(chǎn)品系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振表面聲波SAW諧振器,FS-585晶振,日本EPSON晶振特征

    表面聲波SAW諧振器,FS-585晶振,日本EPSON晶振特征

  • 編號(hào)：97934376
  • 頻率：300.0~500.0MHZ
  • 尺寸：4.8*5.2mm
  • RoHS
  • RoHS2
表面聲波SAW諧振器,FS-585晶振,日本EPSON晶振特征,貼片晶振系列,在生產(chǎn)時(shí)就得對(duì)每項(xiàng)生產(chǎn)工藝嚴(yán)格把關(guān),對(duì)每項(xiàng)參數(shù)做到標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而...


      表面聲波SAW諧振器,FS-585晶振,日本EPSON晶振特征,貼片晶振系列,在生產(chǎn)時(shí)就得對(duì)每項(xiàng)生產(chǎn)工藝嚴(yán)格把關(guān),對(duì)每項(xiàng)參數(shù)做到標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定.

晶振參數(shù) 符號(hào) FS-585
標(biāo)準(zhǔn)頻率 fo 300 MHZ to 500 MHZ
存儲(chǔ)溫度 T_stg -40℃~+125℃
工作溫度 T_use -40℃~+120℃
頻率公差 F_tol ±50.0 × 10-6 Max
激勵(lì)功率 DL 2 mW Typ
拐點(diǎn)溫度 Ti +20℃ ± 20℃
頻率溫度系數(shù) B -(1.6 ± 0.4) × 10-8/ ℃2
諧波比率 RS/R1 2 Min
串聯(lián)電阻(ESR) R1 18 Ω Max
抗沖擊性 S.R ±10.0 × 10-6  Max
頻率老化 F_age ±10.0 × 10-6 / years Max



振蕩補(bǔ)償
    除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻.

      在2010年晶振全球廠(chǎng)家排名中,占據(jù)首位.愛(ài)普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱(chēng)霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛(ài)普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無(wú)完人,史前無(wú)例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體（IC）稱(chēng)之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為晶體元器件更是離不開(kāi)的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開(kāi)發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開(kāi)拓廣闊前景. 愛(ài)普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)的晶體元器件已以23%的市場(chǎng)占有率位于業(yè)界第一.
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