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FS-335貼片晶振,EPSON石英晶振,聲表諧振器型號,在生產時就得對每項生產工藝嚴格把關,對每項參數做到標準檢測,有一項不完善都會使晶片的邊緣效應不能去除,而晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定.

| 晶振參數 | 符號 | FS-335 | 
| 標準頻率 | fo | 300 MHZ to 870 MHZ | 
| 存儲溫度 | T_stg | -40℃~+85℃ | 
| 工作溫度 | T_use | -40℃~+85℃ | 
| 頻率公差 | F_tol | ±25.0 × 10-6 Max | 
| 激勵功率 | DL | 2 mW Typ | 
| 拐點溫度 | Ti | +20℃ ± 20℃ | 
| 頻率溫度系數 | B | -(1.6 ± 0.4) × 10-8/ ℃2 | 
| 諧波比率 | RS/R1 | 2 Min | 
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 18 Ω Max | 
| 抗沖擊性 | S.R | ±10.0 × 10-6 Max | 
| 頻率老化 | F_age | ±10.0 × 10-6 / years Max | 
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		     石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負電場時, 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應正電場區(qū)域, 同時在硅原子上方產生感應負電場區(qū)域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產生感應負電場,硅原子上方產生感應正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應下氧原子的振幅與電場強度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應的關系.在實際的應用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.
		
	

	      在2010年晶振全球廠家排名中,占據首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠遠達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHz為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.愛普生拓優(yōu)科夢把半導體(IC)稱之為“產業(yè)之米”,并認為晶體元器件更是離不開的“產業(yè)之鹽”.將進一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開發(fā),為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景. 愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.
	
	
		
     愛普生以“省、小、精技術”為基礎,通過商品、服務、生產及銷售的每個環(huán)節(jié)提供被顧客所追求的降低環(huán)境負荷的價值.
	

     愛普生以“省、小、精技術”為基礎,通過商品、服務、生產及銷售的每個環(huán)節(jié)提供被顧客所追求的降低環(huán)境負荷的價值.
		     新的視角:實現能夠改變顧客行為和業(yè)務模式的新商品、服務、功能和使用方案,降低環(huán)境負荷.
	
		     商品:進一步追求商品的小型輕量、節(jié)能、可循環(huán)和長壽命化,以滿足顧客需求的商品實現生命周期環(huán)境負荷減半.
	
		     生產:配合“降低總成本活動”和“品質提高活動”,實現高效、低環(huán)境負荷的生產工藝,從而奠定降低商品環(huán)境負荷的基礎.
	
		     環(huán)保社區(qū):開展以商品與服務為核心的環(huán)保社區(qū)活動,為社會的可持續(xù)發(fā)展而挑戰(zhàn).

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為您做到低成本,高效率.
	
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