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產(chǎn)品系列

首頁歐美晶振suntsu晶振,SXT532晶振,無源貼片晶體

    suntsu晶振,SXT532晶振,無源貼片晶體

  • 編號(hào)：37548669
  • 頻率：8~54MHz
  • 尺寸：5.0*3.2*0.8mm
  • RoHS
  • RoHS2
小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊...

　   suntsu晶振,SXT532晶振,無源貼片晶體.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
　   石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶體進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把SMD晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.
        總部位于美國加利福尼亞州奧蘭治縣,與韓國,中國和臺(tái)灣的合資伙伴合作成立.SUNTSU進(jìn)口晶振頻率控制公司成立于2002年,由頻率控制行業(yè)的專業(yè)人士設(shè)計(jì),并考慮到三個(gè)關(guān)鍵原則:1.建立涵蓋全頻譜晶體頻率控制設(shè)備的產(chǎn)品陣容,從而為客戶提供滿足頻率控制需求的單一來源.2.通過設(shè)計(jì)和制造特定于客戶應(yīng)用的定制組件,鼓勵(lì)創(chuàng)造力并支持行業(yè)創(chuàng)新.3.通過按時(shí)交付提供高質(zhì)量的產(chǎn)品來培養(yǎng)長(zhǎng)期的客戶關(guān)系.

suntsu晶振 單位 SXT532晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 8~54MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C~+125°C 裸存
工作溫度 T_use -40℃~+85℃ 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差 f_— l ±10ppm +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://m.ylajtgs.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 /-30°C～+85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 C 7pF，30pF 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
     撞擊
雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.
     化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口智能家居晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
     粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
     鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用低功耗晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
     存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
     使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用5032晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.
       美國SUNTSU晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
       美國SUNTSU晶振將：通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
       避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
       SUNTSU晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去SUNTSU晶振集已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).

1.技術(shù)支持                                                                        2.客服咨詢                            
全方位技術(shù)指導(dǎo),專業(yè)的技術(shù)支持讓您感受到                 專業(yè)的銷售團(tuán)隊(duì),耐心為您解答任何疑問,讓您的
前所未有的后顧無憂.                                                          消費(fèi)得到保障.
3.質(zhì)量保證，誠信為上                                                    4.提升業(yè)績(jī),降低成本
我司以“以科技為動(dòng)力，以質(zhì)量求生存”為理念.               為您的產(chǎn)品量身訂制,免費(fèi)取樣,
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