產(chǎn)品系列
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 - 陶瓷濾波器
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 - 臺(tái)灣加高諧振器
 - 臺(tái)灣鴻星晶體
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 - 臺(tái)灣希華晶振
 - 臺(tái)灣泰藝晶體
 - AKER晶振
 
晶振廠家
進(jìn)口晶振
歐美晶振
臺(tái)產(chǎn)晶振
Tel:0755-27838351
Add:廣東深圳市寶安區(qū)67區(qū)留仙一路甲岸科技園3棟5樓
Email:konuaer@163.com
QQ:632862232
    晶振官方博客
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	    ACT晶振,FTV53晶振,VCXO晶體振蕩器.小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
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石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
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	       自1986年以來,ACT有源晶振以前的高級(jí)晶體技術(shù)已發(fā)展成為高性能頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計(jì)作伙伴.通過新的合作伙伴關(guān)系定制頻率解決方案我們與Esterline研究和設(shè)計(jì)(ERD)的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限.這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù).
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| 型號(hào) | 符號(hào) | FTV53 | 
| 輸出方式 | - | HCMOS | 
| 輸出頻率范圍 | fo | 10~245MHz | 
| 電源電壓 | VCC | +2.5V,+3.3V | 
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					頻率公差 (含常溫偏差)  | 
				f_tol | ±25ppm,±50ppm,±100ppm | 
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55℃~+125℃ | 
| 運(yùn)行溫度范圍 | T_use | 
					-10℃~+70℃ -40℃~+85℃  | 
			
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) | 
| 待機(jī)時(shí)電流(#1引腳"L") | I_std | 10μA max. | 
| 輸出負(fù)載 | Load-R | 15pF | 
| 波形對(duì)稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] | 
| 上升時(shí)間 下降時(shí)間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] | 
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		     自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
	
		自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口壓控晶體振蕩器.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英5032晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
	
		     負(fù)極電阻
	
		除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
	
		     負(fù)載電容
	
		振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
	
		     晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊
	
		所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
	
		     存儲(chǔ)事項(xiàng)
	
		(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存高精度5032晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏.
	
		正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
	
		(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
		       消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).對(duì)我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
	
		       ACT晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.
	
		       ACT晶振集團(tuán)將確保其壓控晶體振蕩器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?;顒?dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
	
		       ACT集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意. 
	
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	1.技術(shù)支持                                                                        2.客服咨詢                            
全方位技術(shù)指導(dǎo),專業(yè)的技術(shù)支持讓您感受到 專業(yè)的銷售團(tuán)隊(duì),耐心為您解答任何疑問,讓您的
前所未有的后顧無憂. 消費(fèi)得到保障.
3.質(zhì)量保證,誠信為上 4.提升業(yè)績,降低成本
我司以“以科技為動(dòng)力,以質(zhì)量求生存”為理念. 為您的產(chǎn)品量身訂制,免費(fèi)取樣,
為您做到低成本,高效率.
	
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