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Email:konuaer@163.com
QQ:632862232
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                    首頁網(wǎng)絡(luò)設(shè)備產(chǎn)品進口KDS晶振,DSO221SR晶體振蕩器,進口有源晶振,1XSF006140AR
                    
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進口KDS晶振,DSO221SR晶體振蕩器,進口有源晶振,"1XSF006140AR"產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
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| 規(guī)格參數(shù) | DSO221SR | 
| 頻率范圍 | 0.2~167.0MHZ | 
| 電源電壓 | +1.8 ~ +3.3V | 
| 消費電流 | +2.0mA max ,+3.5mA max | 
| 出力電壓 | 0.8Vp-p min(f≤52MHZ) | 
| 溫度特征 | 
				±2.5×10-6 max /-30~+85℃ ±2.5×10-6 max /-40~+85℃(Option)  | 
		
| 出力負荷 | 15pF | 
| 負荷變動特性 | ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF ± 10%) | 
| 電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max (Vcc ± 5%) | 
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year | 
| 起動時間 | 2.0ms max | 
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		     "1XSF006140AR"石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負電場時, 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應(yīng)正電場區(qū)域, 同時在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負電場區(qū)域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負電場,硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場. (圖). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場強度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應(yīng)的關(guān)系.在實際的應(yīng)用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.
	

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